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First-principles study of point defects at a semicoherent interface

机译:半相干界面点缺陷的第一性原理研究

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摘要

Most of the atomistic modeling of semicoherent metal-metal interfaces has so far been based on the use of semiempirical interatomic potentials. We show that key conclusions drawn from previous studies are in contradiction with more precise ab-initio calculations. In particular we find that single point defects do not delocalize, but remain compact near the interfacial plane in Cu-Nb multilayers. We give a simple qualitative explanation for this difference on the basis of the well known limited transferability of empirical potentials.
机译:迄今为止,大多数半相干金属-金属界面的原子建模都是基于半经验原子间电势的使用。我们表明,从先前的研究得出的关键结论与更精确的从头算起是矛盾的。特别是,我们发现单点缺陷不会离域,而是在Cu-Nb多层膜的界面附近保持紧密。我们根据众所周知的经验势能有限的可转移性对此差异进行简单的定性解释。

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